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参数资料
| 型号： | ISL2110AR4Z-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-DFN-EP（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL2110, ISL2111
Typical Performance Curves
55
(Continued)
55
50
45
t LPLH
50
45
t LPLH
40
35
30
t HPLH
t HPHL
t LPHL
40
35
30
t HPLH
t HPHL
t LPHL
25
-50
0
50
100
150
25
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 13. ISL2110 PROPAGATION DELAYS vs
TEMPERATURE
8.0
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 14. ISL2111 PROPAGATION DELAYS vs
TEMPERATURE
10.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
t MON
t MOFF
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
t MON
t MOFF
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15. ISL2110 DELAY MATCHING vs TEMPERATURE
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16. ISL2111 DELAY MATCHING vs TEMPERATURE
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
V LO , V HO (V)
FIGURE 17. PEAK PULL-UP CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
8
V LO , V HO (V)
FIGURE 18. PEAK PULL-DOWN CURRENT vs OUTPUT
VOLTAGE
FN6295.6
March 8, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z156K020LSSL | CAP TANT 15UF 20V 10% 2910 |
| ISL6622IRZ | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN |
| ECM18DCMN | CONN EDGECARD 36POS .156 WW |
| ISL6613EIBZ | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| T95Z107M6R3LSSL | CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL2111 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V, 3A/4A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers |
| ISL2111ABZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 4A H-BRDG DRVR 8LD TTL INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ABZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 8LD TTL INPUTS T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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