参数资料
型号: ISL55111IRZ-T
厂商: Intersil
文件页数: 7/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN
标准包装: 6,000
类型: 高端
输入类型: 非反相
输出数: 2
导通状态电阻: 3 欧姆
电流 - 输出 / 通道: 300mA
电流 - 峰值输出: 3.5A
电源电压: 5 V ~ 13.2 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN-EP(4x4)
包装: 带卷 (TR)
ISL55110, ISL55111
VH = 12V
+3V
+
4.7μF
0.1μF
INPUT
INPUT
INX
OUTPUT
≈ 0.4V
INPUT RISE AND
FALL TIMES ≤ 2ns
IN
ISL55110
C L
12V
t r
90%
90%
t f
OUTPUT
0V
10%
10%
FIGURE 1. TEST CIRCUIT RISE (t R )/FALL(t F ) THRESHOLDS
VH = 12V
+3V
+
4.7μF
0.1μF
INPUT
50%
50%
IN-X
≈ 0.4V
INPUT
OUTPUT
tpdR
tpdF
INPUT RISE AND
IN
ISL55110
C L
12V
FALL TIMES ≤ 2ns
OUTPUT OA AND OB ISLS55110
OUTPUT OA ISLS55111
0V
12V
OUTPUT OB ISLS55111
50%
50%
50%
50%
0V
t SKEW R = tpdR CHN1 - tpdR CHN2
FIGURE 2. TEST CIRCUIT PROPAGATION TPD DELAY
Typical Performance Curves (See “Typical Performance Curves Discussion” on page 12)
7.0
7.0
6.3
5.6
4.9
4.2
+85°C
+25°C
VDD 3.6V
-50mA
6.3
5.6
4.9
4.2
+85°C
+25°C
VDD 3.6V
+50mA
3.5
2.8
2.1
1.4
3.5
2.8
2.1
1.4
0.7
0.0
-40°C
0.7
0.0
-40°C
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
4
5
6
7 8 9 10
11
12
13
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 3. DRIVER r ON vs VH SOURCE RESISTANCE
7
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 4. DRIVER r ON vs VH SINK RESISTANCE
FN6228.6
August 8, 2013
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PDF描述
ISL55110IVZ-T IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-TSSOP
A9BBA-0505E FLEX CABLE - AFJ05A/AE05/AFJ05A
A9BBA-1002F FLEX CABLE - AFF10A/AF10/AFF10A
RE-0524S/P CONV DC/DC 1W 5VIN 24VOUT
RE-0512S/P CONV DC/DC 1W 5VIN 12VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
ISL55111IVZ 功能描述:IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘,4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?(1.2x1.6) 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1
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