参数资料
| 型号： | ISL6353CRTZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONTROLLER DDR VR12 40TQFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 应用： | 控制器，DDR，Intel VR12 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.25 V ~ 1.52 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 40-TQFN-EP（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6353
Electrical Specifications Operating Conditions: V DD = 5V, T A = 0°C to +70°C for ISL6353CRTZ and T A = -40°C to +85°C for ISL6353IRTZ,
f SW = 300kHz, unless otherwise noted. Boldface limits apply over the operating temperature range. (Continued)
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 6)
TYP
(Note 6) UNITS
CHANNEL FREQUENCY
Nominal Channel Frequency
f SW(nom)
R FSET = 18k ? , 3-channel operation, V COMP = 1V
280
300
320
kHz
Adjustment Range
200
500
kHz
AMPLIFIERS
Current-Sense Amplifier Input Offset
Error Amp DC Gain
A v0
I FB = 0A
-0.1
119
+0.1
mV
dB
Error Amp Gain-Bandwidth Product
GBW
C L = 20pF
17
MHz
ISEN1/2/3
Input Bias Current
POWER GOOD AND PROTECTION MONITORS
20
nA
PGOOD Low Voltage
PGOOD Leakage Current
ALERT# Pull-Down Resistance
V OL
I OH
I PGOOD = 4mA
PGOOD = 3.3V
-1
0.26
7
0.4
1
13
V
μA
?
ALERT# Leakage Current
1
μA
VR_HOT# Pull-Down Resistance
VR_HOT# Leakage Current
7
13
1
?
μA
GATE DRIVER
UGATE Pull-Up Resistance
UGATE Source Current
UGATE Sink Resistance
UGATE Sink Current
LGATE Pull-Up Resistance
LGATE Source Current
LGATE Sink Resistance
LGATE Sink Current
UGATE to LGATE Deadtime
LGATE to UGATE Deadtime
R UGPU
I UGSRC
R UGPD
I UGSNK
R LGPU
I LGSRC
R LGPD
I LGSNK
t UGFLGR
t LGFUGR
200mA Source Current
UGATE - PHASE = 2.5V
250mA Sink Current
UGATE - PHASE = 2.5V
250mA Source Current
LGATE - GND = 2.5V
250mA Sink Current
LGATE - GND = 2.5V
UGATE falling to LGATE rising, no load
LGATE falling to UGATE rising, no load
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.5
4.0
23
28
1.5
1.5
1.5
0.9
?
A
?
A
?
A
?
A
ns
ns
PROTECTION FUNCTIONS
Pre-Charge Overvoltage Threshold
OV P
VSEN rising above setpoint for >1ms
2.29
2.35
V
Overvoltage Threshold
OVP Pin Sink Current
Overcurrent Threshold
OV H
I OVP
CRTZ
IRTZ
CRTZ
IRTZ
CRTZ
IRTZ
CRTZ
IRTZ
VSEN rising above setpoint for >1ms
V OVP = VDD - 1V
3/2/1-Phase Config, PS0
3/2/1-Phase Config, PS0
3-Phase Config, PS1 - Drop to 2-Phase
3-Phase Config, PS1 - Drop to 2-Phase
3-Phase Config, PS1/2 - Drop to 1-Phase
3-Phase Config, PS1/2 - Drop to 1-Phase
2-Phase Config, PS1/2 - Drop to 1-Phase
2-Phase Config, PS1/2 - Drop to 1-Phase
145
20
56.5
54.5
38.3
37
19
18.5
28
27
175
60
60
40
40
20
20
30
30
200
64.5
64.5
43.2
43.2
22.25
22.25
33
33
mV
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
9
September 15, 2011
FN6897.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6566ACRZ | IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN |
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| 2510-28K | INDUCTOR RF 1.5UH UNSHIELDED SMD |
| LT1175IS8-5#PBF | IC REG LDO -5V .5A 8SOIC |
| LT1175IS8#PBF | IC REG LDO NEG ADJ .5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL6353CRTZ-TS2568 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:INTEL, ISL6353CRTZ-T W/BARCODE LABELS, 12 MONTH D/C RESTRICT - Tape and Reel |
| ISL6353CRZ | 制造商:Intersil 功能描述:Multiphase PWM Regulator for VR12 DDR Memory Systems |
| ISL6353IRTZ | 功能描述:电流型 PWM 控制器 VR12 MEMORY CNTRLR 3 PHS 2 INT 5V DRVRS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
| ISL6353IRTZ-T | 功能描述:电流型 PWM 控制器 VR12 MEMORY CNTRLR 3 PHS 2 INT 5V DRVRS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
| ISL6363CRTZ | 功能描述:IC CONTROLLER VR12 48TQFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - 专用型 系列:- 标准包装:43 系列:- 应用:控制器，Intel VR11 输入电压:5 V ~ 12 V 输出数:1 输出电压:0.5 V ~ 1.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:48-QFN（7x7） 包装:管件 |
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