参数资料
| 型号： | ISL6566IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 27/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR PWM BUCK 3PHASE 40-QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 应用： | 控制器，Intel VRM9，VRM10，AMD Hammer 应用 |
| 输入电压： | 3 V ~ 12 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.8 V ~ 1.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 40-QFN（6x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6566
Thermal Management
For maximum thermal performance in high current, high
switching frequency applications, connecting the thermal
GND pad of the ISL6566 to the ground plane with multiple
vias is recommended. This heat spreading allows the part to
achieve its full thermal potential. It is also recommended
that the controller be placed in a direct path of airflow if
possible to help thermally manage the part.
Suppressing MOSFET Gate Leakage
With VCC at ground potential, UGATE is high impedance. In
this state, any stray leakage has the potential to deliver
charge to the gate of the upper MOSFET. If UGATE receives
sufficient charge to bias the device on, a low impedance path
will be connected between the upper MOSFET drain and
PHASE. If this occurs and the input power supply is present
and active, the system could see potentially damaging
current. Worst-case leakage currents are on the order of
pico-amps; therefore, a 10k ? resistor, connected from
UGATE to PHASE, is more than sufficient to bleed off any
stray leakage current. This resistor will not affect the normal
performance of the driver or reduce its efficiency.
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FN9178.4
March 9, 2006
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PDF描述 |
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