参数资料
| 型号： | ISL6627IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONTROLLER VR11.1 VR12 10DFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 应用： | 控制器，Intel VR11.1，VR12 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6627
General PowerPAD Design Considerations
VCC
DU
DL
BOOT
C BOOT
UGATE
G
C GD
R GI
VIN
D
C DS
Figure 8 shows the recommended use of vias on the thermal pad
to remove heat from the IC. This typical array populates the
thermal pad footprint with vias spaced three times the radius
distance from the center of each via. Small via size is advisable,
but not to the extent that solder reflow becomes difficult.
All vias should be connected to the pad potential, with low
PHASE
C GS
S
Q UPPER
thermal resistance for efficient heat transfer. Complete
connection of the plated-through hole to each plane is important.
It is not recommended to use “thermal relief” patterns to connect
the vias.
FIGURE 7. GATE TO SOURCE RESISTOR TO REDUCE UPPER
MOSFET MILLER COUPLING
FIGURE 8. PCB VIA PATTERN
9
FN6992.1
January 24, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ISL6700IB-T | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE TTL 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| ISL6700IBZ | 功能描述:功率驱动器IC 75V/1 25A PEAK H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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