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参数资料
| 型号： | ISL8510EVAL1Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD FOR ISL8510 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，LDO 步降 |
| 输出及类型： | 3，非隔离 |
| 输出电压： | 3.3V，1.2V，1.8V |
| 电流 - 输出： | 1A，500mA，500mA |
| 输入电压： | 4.5 ~ 25 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 500kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | ISL8510 |
ISL8510
Absolute Maximum Ratings (Note 1)
Thermal Information
VIN to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +26V
Thermal Resistance
θ JA (°C/W)
θ JC (°C/W)
VIN_LDO to GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
BOOT to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +33V
PHASE to BOOT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -6V to +0.3V
VCC to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
VOUT, LDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
FB_PWM, FB_LDO to GND. . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
PG_PWM, PG_LDO to GND . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
QFN Package (Notes 2, 3). . . . . . . . . . 36 5
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Ambient Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Junction Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +125°C
Pb-free Reflow Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Link Below
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
EN, EN_LDO to GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
CC to GND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to +6V
VCC Output Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
NOTES:
1. An accidental short between VCC and GND may cause excessive heating and permanent damage to the device.
2. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379 for details.
3. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
Electrical Specifications
Unless Otherwise Noted, Typical Specifications are Measured at the Following Conditions: T A = +25°C,
V IN = 6V to 25V. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25°C, unless otherwise specified.
Temperature limits established by characterization and are not production tested.
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SUPPLY VOLTAGE
VIN Voltage Range
VIN
5.5
25
V
VIN connected to VCC
4.5
5.0
5.5
V
VIN_LDO Voltage Range
(Note 7)
1.8
4.6
V
VIN Operating Supply Current
VIN Shutdown Supply Current
I OP
I SD
(Note 4)
EN_PWM = EN_LDO = GND
2.5
70
3.5
100
mA
μ A
POWER-ON RESET
VCC POR Threshold
Rising Edge
4.25
4.40
4.50
V
Hysteresis
260
mV
VIN_LDO POR Threshold
Rising Edge
Hysteresis
1.2
200
V
mV
INTERNAL VCC LDO
VCC Output Voltage Range
V IN = 6V to 25V, I VCC = 0mA to 50mA
4.5
5.00
5.5
V
REFERENCE
Reference Voltage
V FB
V IN = 6V to 25V, I REF = 0
0.590
0.6
0.609
V
STANDARD BUCK PWM REGULATOR
FB_PWM Line Regulation
I OUT = 0mA, V IN = 6V to 25V
-0.5
0.5
%
OSCILLATOR and PWM MODULATOR
Nominal Switching Frequency
Modulator Gain
Peak-to-Peak Sawtooth Amplitude
PWM Ramp Offset Voltage
Maximum Duty Cycle
f SW
A MOD
V RAMP
V OFFSET
DC MAX
T A = -40°C to +85°C, V CC = 5V
V IN = 12V (A MOD = 10/V IN )
V IN = 12V (V P-P = V IN /10)
COMP >4V
450
0.73
0.70
80
500
0.86
1.2
0.8
83
550
0.99
0.91
kHz
V/V
V
V
%
ERROR AMPLIFIER
Open-Loop Gain
88
dB
Gain Bandwidth Product
GBWP
15
MHz
Slew Rate
SR
COMP = 10pF
5
V/μs
6
FN6516.2
December 15, 2008
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