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参数资料
| 型号： | ISL9K1560G3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 648K |
| 描述： | DIODE DUAL 600V 15A TO-247 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.2V @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 40ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | ISL9K1560G3-ND ISL9K1560G3FS |
ISL9K1560G3 — STEALTH? Dual Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
Figure 4. ta
and t
b
Curves vs dI
F/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
dIF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
30
25
20
00.5 1.0 1.25 2.0 2.250.75 1.5 1.75
175oC
25oC
100oC
125oC
150oC
15
10
5
10
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
100 200 500 600300
400
1000
1
0.1
175oC
25oC
100oC
4000
75oC
150oC
125oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0
20
40
60
80
100
5110
52025
30
t, RECOVERY TIMES (ns)
tb
AT dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
ta
AT dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
0
20
40
60
80
100
t, RECOVERY TIMES (ns)
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
tb
AT I
F
= 30A, 15A, 7.5A
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
ta
AT I
F
= 30A, 15A, 7.5A
IF, FORWARD CURRENT (A)
2
6
8
10
12
14
16
I
RR
,
MAX
REVERSE RECOVERY
CURRENT
(
A)
dIF/dt = 800A/μs
dIF/dt = 500A/μs
dIF/dt = 200A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
015
0152025
30200
4
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
0
5
10
15
20
25
1000 16001200
1400
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 7.5A
IF
= 15A
400
600 800
I
RR
, MAX REVERSE
RECO
VERY CURRENT
(
A)
www.fairchildsemi.com
3
?2001
Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9K1560G3
Rev.
C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9K3060G3 | DIODE DUAL 600V 30A TO-247 |
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| J309 | TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 |
| KIT 67110-3 | CABLE OSD KIT 150MM SERIES2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL9K1560G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Fast Recovery Power Rectifier |
| ISL9K1560G3_Q | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9K18120G3 | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9K18120G3_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9K30120G3 | 功能描述:整流器 30a 1200V Stealth Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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