参数资料
型号: ISL9K1560G3
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 648K
描述: DIODE DUAL 600V 15A TO-247
产品变化通告: Lead Frame Change 20/Dec/2007
标准包装: 150
系列: Stealth™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.2V @ 15A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 15A
电压 - (Vr)(最大): 600V
反向恢复时间(trr): 40ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔,径向
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
其它名称: ISL9K1560G3-ND
ISL9K1560G3FS
ISL9K1560G3 — STEALTH? Dual Diode
Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovered Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse
Voltage
Figure 10. DC Current Derating Curve
Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves (Continued)
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 15A
IF
= 7.5A
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
200200
300
400
500
600
700
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 15A
IF
= 7.5A
Q
RR
, REVERSE RECOVERED CHARGE (nC)
1000
1600
1400
400
600 800
1200
400
0
800
600
200
1200
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0.1
1
100
10
1000
4
0140 175145
160
170
150 155 165
12
14
16
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2
10
6
8
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA,
NORMALIZED
THERMAL IMPEDANCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
www.fairchildsemi.com
4
?2001
Fairchild
Semiconductor Corporatio
n
ISL9K1560G3
Rev.
C1
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