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参数资料
| 型号： | ISL9R3060G2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 498K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 30A TO247-2 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.4V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
ISL9R3060G2,
I
SL9R3060P2
—
STEALTH? Diode
Test Circuit and Waveforms
Figure 12.
trr
T
est Circuit
Figure
1
3.
trr
Waveforms and Definitions
Figure
1
4.
Avalanche Energy Test Circuit
Figure 15.
Avalanche Current and
Voltage
Waveforms
RG
L
VDD
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AMPLITUDE AND
t1
AND t
2
CONTROL I
F
RG
CONTROL dIF/dt
+
-
dt
diF
IF
trr
ta
tb
0
IRM
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R < 0.1?
EAVL = 1/2LI2 [VR(AVL)/(VR(AVL)
- V
DD)]
Q1 = IGBT (BVCES
> DUT V
R(AVL))
-
VDD
Q1
I = 1A
L = 40mH
VDD
= 50V
IV
t0
t1
t2
IL
VAVL
t
IL
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ISL9R3060P2 | 功能描述:整流器 30A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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