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参数资料
| 型号： | ISL9R860PF2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 8A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.4V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | ISL9R860PF2-ND ISL9R860PF2FS |
ISL9R860PF2 — STEALTH? Diode
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics TC
= 25
°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 600
V
TC
= 25
°C - - 100
μA
TC
= 125
°C--1.0mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 8
A
TC
= 25
°C-2.02.4V
TC
= 125
°C-1.62.0V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V
,
I
F
= 0
A
- 30 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1
A,
d
iF/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 18 25 ns
s,
V
IF
= 8
A,
d
iF/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 21 30 ns
s,
V
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 8
A,
-28-ns
diF/dt
= 200
A/μ- 3.2 - A
s,
VR
= 390
V,
T
C
= 25°C
- 50 - nC
Irr
Maximum Reverse Recovery Current
Qrr
Reverse Recovery Charge
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 8
A,
-77-ns
)-diF/dt
= 200
A/μ3.7-s,
Maximum Reverse Recovery Current
VR
= 390
V,
- 3.4 - A
TC
= 125°C
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Qrr
Reverse Recovery Charge
- 150 - nC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 8
A,
-53-ns
)-diF/dt
= 600
A/μ2.5-s,
Maximum Reverse Recovery Current
VR
= 390
V,
- 6.5 - A
TC
= 125°C
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Qrr
Reverse Recovery Charge
195 - nC
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 500 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case
- - 4.8
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220F
- - 70
°C/W
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
2
Part Number Top Mark
Package
Packing Method Reel Size Tape Width Quantity
ISL9R860PF2
ISL9R860PF2
TO-220F-2L
Tube
N/A
N/A
50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9R860S3ST | DIODE STEALTH 600V 8A TO-263AB |
| L614F | MODULE SCR/DIO 42.5A 480VAC PCB |
| LL4148 | DIODE SMALL SIGNAL GP SOD80 |
| LQA06T300 | DIODE 300V 6A TO-220AC |
| LQA08TC600 | DIODE FPC 600V 8A TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL9R860S2 | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R860S3ST | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R860S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| ISL9R860S3ST_Q | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R860W2 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 WFR 600V 8A HFST ULTRASOFT PWR RECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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