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参数资料
| 型号： | ISL9R860PF2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 8A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.4V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | ISL9R860PF2-ND ISL9R860PF2FS |
ISL9R860PF2 — STEALTH? Diode
Test Circuits and Waveforms
Figure 12. trr
Test Circuit
Figure 13. trr
Waveforms and Definitions
Figure 14. Avalanche Energy Test Circuit
Figure 15. Avalanche Current and Voltage
Waveforms
RG
L
VDD
-
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AM
PLITUDE
AND
RG
C
ONTROL diF/dt
t1
AND t2
CONT
ROL
I
F
+
dt
diF
IF
trr
ta
tb
0
IRM
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R < 0.1?
EAVL
= 1/2LI
2
[V
R(AVL)/(VR(AVL)
- V
DD)]
Q1
= IGBT (BV
CES
> DUT V
R(AVL))
-
Q1
I = 1A
L = 40mH
VDD
= 50V
IV
t0
t1
t2
IL
VAVL
t
IL
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9R860S3ST | DIODE STEALTH 600V 8A TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ISL9R860S3ST | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R860S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| ISL9R860S3ST_Q | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R860W2 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 WFR 600V 8A HFST ULTRASOFT PWR RECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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