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参数资料
| 型号： | ISL9R860S3ST |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Choke; Inductance:1.5mH; Current Rating:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Resistance:0.02ohm |
| 中文描述： | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | ISL9R860S3ST |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860P2, ISL9R860S2, ISL9R860S3ST Rev. C1
I
Test Circuits and Waveforms
Figure 12. t
rr
Test Circuit
Figure 13. t
rr
Waveforms and Definitions
Figure 14. Avalanche Energy Test Circuit
Figure 15. Avalanche Current and Voltage
Waveforms
R
G
L
V
DD
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
V
GE
t
1
t
2
V
GE
AMPLITUDE AND
R
CONTROL dI
/dt
t
1
AND t
2
CONTROL I
F
+
-
dt
dI
F
I
F
t
rr
t
a
t
b
0
I
RM
0.25 I
RM
DUT
CURRENT
SENSE
+
L
R
V
DD
R < 0.1
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1/2LI
2
[V
R(AVL)
/(V
R(AVL)
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT (BV
CES
> DUT V
R(AVL)
)
-
Q1
I = 1A
L = 40mH
I V
t
0
t
1
t
2
I
L
V
AVL
t
I
L
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