参数资料
型号: IX6R11S6T/R
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 1,000
配置: 高端和低端,同步
输入类型: 非反相
延迟时间: 120ns
电流 - 峰: 6A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 18-SOIC
包装: 带卷 (TR)
配用: EV6R11S6-ND - BOARD EVALUATION IX6R11S6
IX6R11
1100
1100
1000
900
Maximum
1000
900
Maximum
800
700
Typical
800
700
Typical
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
600
10
15
20
25
30
35
Temperature - o C
Fig. 25a. Quiescent current vs. temperature for the
high side power supply.
1000
V CH Voltage - Volts
Fig. 25b. Quiescent current vs. voltage for the high side
power supply.
75
950
70
A
Load Conditions:
900
850
Maximum
65
60
55
B
C
D
A: IXFK21N100F @ V CH = 400V
B: IXFK21N100F @ V CH = 200V
C: IXFH14N100Q @ V CH =400V
D: IXFH14N100Q @ V CH =200V
E: IXTU01N100 @ V CH = 400V
F: IXTU01N100 @ V CH = 200V
800
50
750
700
650
Typical
45
40
35
30
E
F
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
25
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Temperature - o C
Fig. 26. Quiescent current vs. temperature for the low
side power supply
75
Frequency - kHz
Fig. 27a. Case temperature rise vs. switching frequency
for IX6R11S3
70
Load Conditions:
A: IXFK21N100F @ V CH = 400V
65
60
B: IXFK21N100F @ V CH = 200V
C: IXFH14N100Q @ V CH =400V
D: IXFH14N100Q @ V CH =200V
E: IXTU01N100 @ V CH = 400V
B
55
50
45
F: IXTU01N100 @ V CH = 200V
A
C
D
40
35
30
E
F
25
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Frequency - kHz
Fig. 27b. Case temperature rise vs. switching frequency
for IX6R11S6
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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PDF描述
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参数描述
IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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