参数资料
型号: IX6R11S6T/R
厂商: IXYS
文件页数: 6/13页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 1,000
配置: 高端和低端,同步
输入类型: 非反相
延迟时间: 120ns
电流 - 峰: 6A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 18-SOIC
包装: 带卷 (TR)
配用: EV6R11S6-ND - BOARD EVALUATION IX6R11S6
IX6R11
U1
HS
IX6R11
VCH
HGO
+ C2
10uF
C5
0.1uF
HGO
OUTPUT MONITOR
VDD
HS
GND2
GND2
HS
HV SCOPE PROBE
HIN
ENB
LIN
DG
LS
LS
VCL
LGO
LS
C6
0.1uF
L1
200uH
+ C3
10uF
D1
+
C1
100uF/250V
V1
1
18V
U2
Vin
78L15
Vout
15V
3
GND1
dVs/dt > 50V/ns
BATTERY
2
GND1
HV
600V
15V
V3
C8
C9
10uF
Measure dV/dt (HV Scope Probe)
PULSE
BNC
GND2
U3
2
3
HCPL-314J
?
14
VEE
VCC
16
OUT
15
10K
2
U2
1,8
IXDD414
4,5
6,7
0.1uF
Q1
IXFP4N100Q
D2
DSEI12-10A
GND3
-600V
GND3
Figure 9. Test circuit for allowable offset supply voltage transient.
V CH
1
VIN+
Up to 400V
3
1
IXCP
10M90S
10
VOUT-
VOUT- 15
1k
2
1uF/35V MLCC
11
12
VOUT+
GND
VOUT+ 14
30
5.1
1N5817
1uF/35V MLCC
10
11
12
HS
NC
NC
V CH
HGO
HS
9
8
7
15
IXTH14N60P
V DD
HIN
1k
10uF/35V
13
14
V DD
HIN
NC
NC
6
5
18uH
0.1uF/1kV
ENB
1k
15
ENB
LS
4
5.1
1N5817
LIN
1k
16
17
LIN
DG
V CL
LGO
3
2
15
0.47uF
IXTH14N60P
0.47uF
18
LS
LS
1
V CL
10uF/35V
1uF/35V MLCC
Figure 10. Test circuit for high frequency, 750kHz, operation.
V DD , V CH , V CL = 15V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料
PDF描述
IXA531S10T/R IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
IXA611S3T/R IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI
IXBD4410PI IC LOW SIDE DRIVER 16DIP
IXD611S7T/R IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC
IXDD404SIA-16 IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX82C54 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:CMOS Programmable Intervel Timer
IX9908 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control
IX9908N 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control