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参数资料
| 型号： | IXA531S10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| 标准包装： | 500 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 425ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 8 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-MLP |
| 供应商设备封装： | 48-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA531
Fig. 10. Pin Diagram for the IXA531S10 48-Lead MLP Quad Package
0.276±0.002 [7.00±0.05]
0.039±0.002 [1.00±0.05]
0.015±0.001 [0.38±0.03]
0.009±0.001 [0.23±0.03]
0.030±0.001 [0.75±0.03]
0.020 [0.50]
Fig. 11. Pin Diagram for the IXA531L4 44-Lead PLCC package
6
5
4
3
2
1
44
43
42
41
40
LS
NC
LIN1
LIN2
7
8
9
39
38
37
NC
NC
VCH2
LIN3
NC
FLT
NC
ITRP
NC
EN
RST
10
11
12
13
14
15
16
17
IXA531L4
IXA531S10
36
35
34
33
32
31
30
29
HGO2
HS2
NC
NC
NC
VCH3
HGO3
HS3
18
19
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28
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBA14DRSN-S288 | CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND |
| IXD611P7 | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI |
| 395-070-540-802 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| VI-J3W-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W |
| SDR0302-100ML | INDUCTOR POWER 10UH 0.8A 0302 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA531S10T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXA55I1200HJ | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXA60IF1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Copack RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA611 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:600mA Half-Bridge Driver |
| IXA611M6 | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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