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参数资料
| 型号： | IXA531S10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| 标准包装： | 500 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 425ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 8 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-MLP |
| 供应商设备封装： | 48-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA531
Fig. 12. 44-Lead PLCC Outline Diagram
IXYS Corporation
3540 Bassett St; Santa Clara, CA 95054
Tel: 408-982-0700; Fax: 408-496-0670
e-mail: sales@ixys.net
www.ixys.com
11
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstrasse15 ; D-68623; Lampertheim
Tel: +49-6206-503-0; Fax: +49-6206-503627
e-mail: marcom@ixys.de
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBA14DRSN-S288 | CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND |
| IXD611P7 | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI |
| 395-070-540-802 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| VI-J3W-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W |
| SDR0302-100ML | INDUCTOR POWER 10UH 0.8A 0302 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA531S10T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXA55I1200HJ | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXA60IF1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Copack RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA611 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:600mA Half-Bridge Driver |
| IXA611M6 | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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