- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录335 > IXA531S10T/R (IXYS)IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXA531S10T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| 标准包装： | 500 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 425ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 8 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-MLP |
| 供应商设备封装： | 48-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA531
Dynamic Electrical Characteristics
V CL = V CH = V BIAS = 15V, V HS1,2,3 = V DG = V LS , TA = 25°C and C L = 1000pF unless otherwise specified.
Symbol
t on
t off
t r
t f
t EN
Definition
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-on fall time
ENABLE low to output shutdown
Min.
300
250
300
Typ.
425
400
125
50
450
Max.
550
550
190
75
600
Units
nS
nS
nS
nS
nS
Test Conds.
V IN =0V & 5V
V IN =0V & 5V
----
----
V IN , V EN = 0 V
propagation delay
or 5 V
t ITRP
t bl
t FLT
t FILIN
t FLCLR
DT
MT
MDT
PM
ITRP to output shutdown propagation delay
ITRP blanking time
ITRP to FAULT propagation delay
Input filter time (HIN, LIN, EN)
FAULT clear time RST=2meg, C=1nF
Dead time
Matching delay ON and OFF
Matching delay, max (t on , t off ) - min (t on , t off )
(t on ,t off are applicable to all 3 channels)
Output pulse width matching, PWM IN -PWM OUT
500
100
400
100
1.3
220
750
150
600
200
1.65
290
40
25
40
1000
800
2
360
75
70
75
nS
nS
nS
nS
mS
nS
nS
nS
nS
V ITRP =5V
V IN =0V or 5V
V ITRP = 5V
V IN = 0V or 5V
V ITRP = 5V
V IN = 0V & 5V
V IN = 0V or 5V
V ITRP =0V
V IN = 0V & 5V
External Dead
Time
> 400nsec
VCL
<UVCL
15V
15V
15V
15V
VCH
X
< UVCH
15V
15V
15V
ITRP
X
0V
0V
> VITRP
0V
ENABLE
X
15V
15V
15V
0V
FAULT
0(note 1)
high imp
high imp
0 (note 2)
high imp
LGO1,2,3
0
LIN1,2,3
LIN1,2,3
0
0
HGO1,2,3
0
0
HIN1,2,3
0
0
Notes : A Cross Conduction logic prevents LGO1,2,3 and HGO1,2,3 for each channel from turning on
simultaneously.
1. UVCL is not latched, when VCL > UVCL, FAULT returns to high impedance.
2. When ITRP < V ITRP , FAULT returns to high-impedance after RST pin becomes greater then 8V
(@VCL= 15V).
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXA611S3T/R | IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI |
| IXBD4410PI | IC LOW SIDE DRIVER 16DIP |
| IXD611S7T/R | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC |
| IXDD404SIA-16 | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC |
| IXDD408YI | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA55I1200HJ | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXA60IF1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Copack RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA611 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:600mA Half-Bridge Driver |
| IXA611M6 | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXA611M6T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。