参数资料
| 型号： | IXBOD1-22RD |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V |
| 标准包装： | 20 |
| 电压 - 箝位： | 2200V（2.2kV） |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 3 |
| 应用： | 高电压 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
IXBOD 1 -06...10
Single Breakover Diode
V BO = 600-1000V
I AVM = 0.9 A
V BO
Standard
V
600 ±50
700 ±50
800 ±50
900 ±50
1000 ±50
Symbol
Types
IXBOD 1 -06
IXBOD 1 -07
IXBOD 1 -08
IXBOD 1 -09
IXBOD 1 -10
Conditions
Ratings
A
K
I D
T VJ = 125°C;
V = 0,8x V BO
20
μA
V BO
V BO (T VJ ) = V BO, 25°C [1 + K T (T VJ - 25 ° C)]
I RMS
f = 50 HZ;
T amb = 50 ° C
1.4
A
connection pins soldered to printed circuit
(conductor 0,035x2mm)
I AVM
0.9
A
I SM
I2t
T amb
T stg
t p = 0.1 ms;
t p = 0.1 ms;
T amb = 50 ° C non repetitive
T amb = 50 ° C
200
2
-40...+125
-40...+125
A
A 2 s
° C
° C
T VJm
K T
K P
R thJA
Temperatur coefficient of V BO
coefficient for energy per pulse E P (material constant)
- natural convection
125
2 · 10 -3
700
60
° C
K -1
K/Ws
K/W
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Weight
- with air speed 2 m/s
45
1
K/W
g
Symbol
Conditions
Characteristic Values
I BO
I H
V H
T VJ =
T VJ =
T VJ =
25 ° C
25 ° C
25 ° C
15
30
4-8
mA
mA
V
(dv/dt) C
T VJ =
50 ° C;
V D = 0.67 · (V BO + 100V)
> 1000
V/μs
K
A
(di/dt) C
T VJ = 125 ° C;
V D = V BO ; I T = 80A; f = 50 Hz
200
A/μs
t q(typ)
T VJ = 125 ° C V D = 0.67 · V BO ; V R = 0V
150
μs
dV/dt (lin.) = 200V/μs; I T = 80A; di/dt = -10A/μs
V T
V (TO)
r T
T VJ =125 ° C; I T = 5A
For power-loss calculations only
T VJ = 125 ° C
1.7
1.1
0.12
V
V
?
IXYS reserve at these the right to change limits, test conditions and dimensions; Data according to IEC 60747
H-2
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXBOD1-24R | 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2400V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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