参数资料
型号: IXBOD1-22RD
厂商: IXYS
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描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2200V
标准包装: 20
电压 - 箝位: 2200V(2.2kV)
技术: 混合技术
电路数: 3
应用: 高电压
封装/外壳: 径向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
IXBOD 1 -06...10
Fig. 1 Energy per pulse for trapezoidal current wafeforms
(see waveform definition).
Fig. 2
Energy per pulse for exponentially decaying
current pulse (see waveforms definition).
V a = 0 m/s
V a = 2 m/s
[V]
V T
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
[K/W]
Z thJA
Fig. 3 On-state voltage
? 2000 IXYS All rights reserved
i T
[A]
Fig. 4 Transient thermal resistance.
t [s]
H-3
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PDF描述
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参数描述
IXBOD1-23D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|2.35KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-23R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-23RD 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-24D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|2.45KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-24R 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 2400V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA