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参数资料
| 型号： | IXD611P1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-PDIP |
| 标准包装： | 500 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IXD611
Fig. 29
Supply Current vs. Supply Voltage
Fig. 30
Supply Current vs. Supply Voltage
C LOAD = 100pF V IN = V SUPPLY 50% Duty Cycle
C LOAD = 1000pF V IN = V SUPPLY 50% Duty Cycle
100
100
2MHz
1MHz
2MHz
1MHz
10
High side 100KHz
10
100KHz
Low side 100KHz
High side 10KHz
High Side10KHz
1
0.1
Low side 10KHz
1
0.1
Low Side10KHz
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Fig. 31
Supply Voltage (V)
Fig. 32
Supply Voltage (V)
High To Low Side Leakage Current vs.High Side V OFFSET
0.16
High to Low Side Leakage Current vs. Temperature
V OFFSET = 600V V CL = V CH = 15V
132
0.14
130
0.12
0.1
0.08
0.06
128
126
124
122
120
0.04
118
0.02
116
0
114
0
100
200
300
400
500
600
700
-50
0
50
100
150
High Side Offset Voltage (V)
Temperature (C)
Fig. 33
14
Output Resistance vs. Supply Voltage
Fig. 34
305
Pulse Width Stability vs. Temperature
V CL = V CH = 15V Input PW = 300ns
12
300
10
High State / Low Side
High Side
8
6
High State / High Side
Low State / Low Side
Low State / High Side
295
290
Low Side
4
285
2
0
280
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. 12
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-070-540-801 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| EBM15DSEN-S243 | CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET |
| A7PSG-0906M | DSUB CABL-AMM09G/ AE10M / AFM09G |
| LXV300-054SW | POWER SUPPLY LED IP67 300W 54V |
| F911E106MCC | CAP TANT 10UF 25V 20% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611P7 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S1 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXD611S7 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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