参数资料
型号: IXD611P1
厂商: IXYS
文件页数: 8/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-PDIP
标准包装: 500
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
IXD611
V CL
1
VIN+
Up to 600V
3
1
IXCP
10
VOUT-
VOUT- 15
1k
10M90S
1uF/35V MLCC
11
12
VOUT+
GND
VOUT+
14
2
30
5.1
1N5817
10uF/35V
1uF/35V MLCC
51
IXTH14N60P
V CL
HIN
LIN
1k
1 k
1
2
3
4
V CL
HIN
LIN
LS
V CH
HGO
HS
LGO
8
7
6
5
5.1
1N5817
0.1uF/1kV
51
Figure 10. Test circuit for low frequency, 75kHz, operation.
V CH , V CL = 15V
IXTH14N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
8
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXD611P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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