参数资料
型号: IXD611P1
厂商: IXYS
文件页数: 5/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-PDIP
标准包装: 500
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
IXD611
Dynamic Electrical Characteristics
Symbol
t on
t off
t r
t f
t dm
Definition
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Delay matching, HS & LS turn-on/off
Test Conditions
V CL = V CH = 15V, C LOAD = 1nF
V CL = V CH = 15V, C LOAD = 1nF
V CL = V CH = 15V, C LOAD = 1nF
V CL = V CH = 15V, C LOAD = 1nF
C LOAD = 1nF
Min
Typ
180
170
28
18
10
Max
200
190
35
25
20
Units
ns
ns
ns
ns
ns
Static Electrical Characteristics
Symbol
Definition
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V INH
V INL
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
V CL = V CH = 15V
V CL = V CH = 15V
2.7
2.4
V
V
V HLGO / / V HHGO High level output voltage,
I O = 20mA
0.22
0.3
V
V CH -V HGO or V CL -V LGO
V LLGO / / V LHGO Low level output voltage,
I O = 20mA
0.16
0.25
V
V HGO or V LGO
I HL
I QHS
I QLS
I IN +
I IN -
HS to LS bias current.
Quiescent V CH supply current
Quiescent V CL supply current
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V HS = 600V
V CH = 15V V IN = 0V or V IN = 5 V
V CL = 15V V IN = 0V or V IN = 5 V
V IN = V SUPPLY = 15V
V IN = 0V
0.12
0.7
0.18
11
1
0.2
0.8
0.3
20
2
mA
mA
mA
uA
uA
V CHUV +
V CHUV -
V CLUV +
V CLUV -
V CH supply undervoltage positive going threshold.
V CH supply undervoltage negative going threshold.
V CL supply undervoltage positive going threshold
V CL supply undervoltage negative going threshold.
7.5
7
7.5
7
8
7.3
8
7.5
8.5
8
8.5
8
V
V
V
V
V CHUVH , V CLUVH Undervoltage Hysteresis
0.3
0.6
V
I GO +
HS or LS Output high short circuit current; V GO = 15V, V IN = 5V, PW<10us 0.5
0.6
A
I GO -
HS or LS Output low short circuit current; V GO = 15V, V IN = 0V, PW<10us
-0.6
-0.5
A
Precaution : When performing the high voltage tests, adequate safety precautions should be taken.
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
5
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PDF描述
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参数描述
IXD611P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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