参数资料
型号: IXD611P7
厂商: IXYS
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI
标准包装: 400
供应商设备封装: 14-PDIP
包装: 管件
IXD611
Fig. 17
Fig. 18
Input Threshold Level vs. Temperature
4.5
4
3.5
Input Threshold Level vs. Supply Voltage
4
3.5
3
V SUPPLY = 15V
3
Positve going
2.5
Pos. going input
2.5
Negative going
2
Neg. going input
2
1.5
1.5
1
1
0.5
0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Temperature (C)
Fig.19
1.2
Quiescent Supply Current vs. Supply Voltage
V IN = "0"
Fig. 20
0.57
Quiescent Current vs. Temperature
V IN = "0" V SUPPLY = 15V Both Drivers Combined
0.56
1
0.55
0.8
High side
0.54
0.53
0.6
0.52
0.4
Low side
0.51
0.5
0.2
0.49
0
0.48
0
5
10
15 20 25
Supply Voltage (V)
30
35
40
-50
0
50
Temperature (C)
100
150
Fig.21
LIN / HIN Bias Current vs. Supply Voltage
Fig.22
LIN / HIN Bias Current vs. Temperature
30
V IN = Supply Voltage
16
V SUPPLY = 15V
25
14
V IN = 15V
12
20
10
15
10
Logic "1" either input pin
8
6
4
V IN = 5V
5
0
Logic "0" 2uA
max.
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. 10
Temperature (C)
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PDF描述
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参数描述
IXD611S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXD611S7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IXD611S7T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDA20N120AS 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube