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参数资料
| 型号： | IXD611P7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI |
| 标准包装： | 400 |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
IXD611
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V HS
V CH
V HGO
V CL
V LGO
V DG
V IN
dV HS /dt
P D
Definition
High side floating supply offset voltage
High side floating absolute voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply offset voltage (P7, S7 only)
Logic input voltage(HIN & LIN)
Allowable offset supply voltage transient
Package power dissipation@ T A ≤ 25C
8 pin PDIP
8 pin SOIC
14 pin PDIP
14 pin SOIC
Min
-200
-0.3
V HS - 0.3
-0.3
-0.3
V LS - 0.7
LS - 0.3
Max
650
35
V CH + 0.3
35
V CL + 0.3
V LS + 0.7
V CL + 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
Units
V
V
V
V
V
V
V
V/ns
W
W
W
W
R THJA
Thermal resistance, junction-to-ambient
8 pin PDIP
8 pin SOIC
14 pin PDIP
14 pin SOIC
125
200
75
120
o
o
o
o
C/W
C/W
C/W
C/W
C
T J
Junction Temperature
150
o
C
C
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 s)
-55
150
300
o
o
Recommended Operating Conditions
Symbol
V HS
V CH
V HGO
V CL
V LGO
V DG
V IN
Definition
High side floating supply offset voltage
High side floating supply absolute voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply offset voltage (P7, S7 only)
Logic input voltage(HIN, LIN)
Min
-200
10
V HS
10
0
V LS - 0.3
V DG or LS
Max
600
30
V CH
30
V CL
V LS + 0.3
V CL
Units
V
V
V
V
V
V
V
T A
Ambient Temperature
-40
125
o
C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-070-540-802 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| VI-J3W-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W |
| SDR0302-100ML | INDUCTOR POWER 10UH 0.8A 0302 |
| VI-J3V-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W |
| LXV300-052SW | POWER SUPPLY LED 300W 52V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611S1 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXD611S7 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDA20N120AS | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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