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参数资料
| 型号： | IXD611P7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI |
| 标准包装： | 400 |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
IXD611
Timing Waveform Definitions
Figure 4. INPUT/OUPUT Timing Diagram
HIN
50%
50%
HIN
LIN
50%
50%
LIN
tdon
tr
tdoff
tf
90%
90%
90%
LGO
HGO
10%
tdm
LGO
HGO
HGO
LGO
10%
10%
tdm
Outgoing Signal
Figure 5. Definitions of Switching Time Waveforms
600V
Figure 6. Definitions of Delay Matching Waveforms
mp
era
500V
400V
~
Sa
le
Te
ste
d
for
Op
tio
n
~
0
100kHz 300kHz
1MHz
f PWM
Figure 7. Device operating range: Buss voltage vs. Frequency
Tested in typical circuit configuration (refer to Figure 9 & 10)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-070-540-802 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| VI-J3W-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W |
| SDR0302-100ML | INDUCTOR POWER 10UH 0.8A 0302 |
| VI-J3V-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W |
| LXV300-052SW | POWER SUPPLY LED 300W 52V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611S1 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXD611S7 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDA20N120AS | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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