参数资料
型号: IXDE509D1T/R
厂商: IXYS
文件页数: 11/14页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
标准包装: 1,000
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 18ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 30 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-VFDFN
供应商设备封装: 6-DFN
包装: 带卷 (TR)
IXDD509 / IXDE509
Fig. 29
2.5
ENABLE Threshold vs. Supply Voltage
Fig. 30
2
ENABLE Threshold vs. Temperature
V SUPPLY = 15V
1.8
2
1.5
1
0.5
0
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Temperature (C)
Fig. 31
Fig. 32
ENABLE Propagation vs. Temperature
160
ENABLE Propagation Time vs. Supply Voltage
100
V SUPPLY = 15V
90
140
80
120
70
100
80
60
Negative going ENABLE to high impedance state
60
50
40
Negative going ENABLE to high impedance state
30
40
20
0
Positve going ENABLE to output ON
20
10
0
Positive going ENABLE to output ON
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Figure 33 - Typical Application Short Circuit di/dt Limit
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
11
Temperature (C)
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PDF描述
IXDE509D1 IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
T95D336M025EZSL CAP TANT 33UF 25V 20% 2917
1485B4P WIREWAY 45 DEG STEEL 2.5X2.5" GR
LXC50-0350S POWER SUPPLY LED IP67 50W 350MA
IXDE504SIA IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDE509PI 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIA 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IXDE514D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube