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参数资料
| 型号： | IXDE509D1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 9A 6-DFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 18ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDD509 / IXDE509
Pin Description
PIN
SYMBOL
FUNCTION
DESCRIPTION
Power supply input voltage. These pins provide power to
1,8
V CC
Supply Voltage
the entire device. The range for this voltage is from 4.5V to
30V.
2
IN
Input
Input signal-TTL or CMOS compatible.
The device ENABLE pin. This pin, when driven low,
3
EN
Enable
disables the chip, forcing a high impedance state at the
output. EN can be pulled high by a resistor.
6,7
OUT
Output
Driver Output. For application purposes, these pins are
connected, through a resistor, to Gate of a MOSFET/IGBT.
The device ground pins. Internally connected to all circuitry,
4,8
GND
Ground
these pins provide ground reference for the entire chip and
should be connected to a low noise analog ground plane for
optimum performance.
CAUTION: Follow proper ESD procedures when handling and assembling this component.
PIN CONFIGURATIONS
8 PIN DIP (PI)
8 PIN SOIC (SIA)
8 PIN DIP (PI)
8 PIN SOIC (SIA)
VCC
1
I
8
VCC
VCC
1
I
8
VCC
X
X
IN
2
D
7
OUT
IN
2
D
7
OUT
E
D
EN
GND
3
4
5
0
9
6
5
OUT
GND
EN
GND
3
4
5
0
9
6
5
OUT
GND
6 LEAD DFN (D1)
(Bottom View)
6 LEAD DFN (D1)
(Bottom View)
VCC
6
I
X
1 IN
VCC
6
I
X
1 IN
D
D
OUT
5
E
2 EN
OUT
5
D
2 EN
5
5
GND
4
0
9
3 GND
GND
4
0
9
3 GND
NOTE: Solder tabs on bottoms of DFN packages are grounded
Figure 3 - Characteristics Test Diagram
V IN
V OUT
Vcc
5V
0V
IXDD
0V
1
8
Vcc
Vcc
2
7
IXDE
0V
10uf
0.01uf
V IN
3
6
Agilent 1147A
Current Probe
4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
5
5
C LOAD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDE509D1 | IC GATE DRIVER 9A 6-DFN |
| T95D336M025EZSL | CAP TANT 33UF 25V 20% 2917 |
| 1485B4P | WIREWAY 45 DEG STEEL 2.5X2.5" GR |
| LXC50-0350S | POWER SUPPLY LED IP67 50W 350MA |
| IXDE504SIA | IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDE509PI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IXDE509SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE514D1 | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 35V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE514D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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