参数资料
型号: IXDE509D1T/R
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
标准包装: 1,000
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 18ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 30 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-VFDFN
供应商设备封装: 6-DFN
包装: 带卷 (TR)
IXDD509 / IXDE509
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h X 45
N
M
L
C
0.197±0.005 [5.00±0.13]
0.035 [0.90]
0.137 [3.48]
IXYS Corporation
3540 Bassett St; Santa Clara, CA 95054
Tel: 408-982-0700; Fax: 408-496-0670
e-mail: sales@ixys.net
S0.002^0.000; o [ S0.05^0.00;o
]
0.018 [0.47]
0.100 [2.54]
www.ixys.com
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstrasse15 ; D-68623; Lampertheim
Tel: +49-6206-503-0; Fax: +49-6206-503627
e-mail: marcom@ixys.de
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相关PDF资料
PDF描述
IXDE509D1 IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
T95D336M025EZSL CAP TANT 33UF 25V 20% 2917
1485B4P WIREWAY 45 DEG STEEL 2.5X2.5" GR
LXC50-0350S POWER SUPPLY LED IP67 50W 350MA
IXDE504SIA IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDE509PI 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIA 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE514D1 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 35V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE514D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube