- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17230 > IXDF602SIA (IXYS Integrated Circuits Division)MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDF602SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA353 IXDF602SIA-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4.3 Tape & Reel Information for SI and SIA Packages
330.2 DIA.
(13.00 DIA.)
IXD_602
Top Co v er
Tape Thickness
0.102 MAX.
(0.004 MAX.)
B 0 =5.30
(0.209)
W =12.00
(0.472)
K 0 = 2.10
(0.0 8 3)
A 0 =6.50
(0.256)
P= 8 .00
(0.315)
Em b ossed Carrier
User Direction of Feed
Dimensions
mm
(inches)
5.4.4 PI (8-Pin DIP)
Em b ossment
NOTE: Tape dimensions not sho w n comply w ith JEDEC Standard EIA-4 8 1-2
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
9.652 ± 0.3 8 1
(0.3 8 0 ± 0.015)
7.620 ± 0.254
(0.300 ± 0.010)
9.144 ± 0.50 8
(0.360 ± 0.020)
PCB Hole Pattern
8 -0. 8 00 DIA.
( 8 -0.031 DIA.)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
Pin 1
0.457 ± 0.076
(0.01 8 ± 0.003)
4.064 TYP
(0.160)
3.302 ± 0.051
(0.130 ± 0.002)
7.239 TYP.
(0.2 8 5)
0.254 ± 0.0127
(0.010 ± 0.0005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
Dimensions
0. 8 13 ± 0.102
(0.032 ± 0.004)
mm
(inches)
12
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIC4427ZM | IC MOSFET DVR DUAL 1.5A 8-SOIC |
| MIC4421ZN | IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-DIP |
| TC426MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| R0.25S8-243.3-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 3.3V OUT |
| R0.25S8-2424-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 24V OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF602SIATR | 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDF602SITR | 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDF604PI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。