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参数资料
| 型号： | IXDF602SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA353 IXDF602SIA-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
3 Block Diagrams & Truth Tables
3.1 IXDI602
V CC
3.3 IXDN602
V CC
IXD_602
I N A
OUTA
I N A
OUTA
G N D
V CC
G N D
V CC
I N B
IN X
0
1
OUT X
1
0
OUTB
I N B
IN X
0
1
OUT X
0
1
OUTB
3.2 IXDF602
V CC
I N A
OUTA
G N D
V CC
I N B
INA
0
1
INB
0
1
OUTA
1
0
OUTB
0
1
OUTB
6
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIC4427ZM | IC MOSFET DVR DUAL 1.5A 8-SOIC |
| MIC4421ZN | IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-DIP |
| TC426MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| R0.25S8-243.3-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 3.3V OUT |
| R0.25S8-2424-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 24V OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF602SIATR | 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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| IXDF604PI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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