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参数资料
| 型号： | IXDF602SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA353 IXDF602SIA-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_602
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
IXDD602D2 (8-Pin DFN)
35
IXD_602PI (8-Pin DIP)
IXD_602SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
IXD_602SIA (8-Pin SOIC)
120
IXD_602SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
2 IXD_602 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
I N x
V IL
I N x
V IL
t ondly
t offdly
t offdly
t ondly
90%
OUTx
10%
OUTx
90%
10%
t r
t f
t f
t r
Non-Inverting Driver Waveforms
2.2 Characteristics Test Diagram
+
Inverting Driver Waveforms
V CC
0.1 μ F
10 μ F
V CC
-
I N A
OUTA
I N B
G N D
OUTB
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
V I N
Tektronix
C LOAD
C u rrent Pro b e
6302
R05
www.ixysic.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXDF604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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