参数资料
型号: IXDS430SI
厂商: IXYS
文件页数: 2/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC
标准包装: 27
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 41ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 8.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 28-SOIC
包装:
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Figure 1A - IXDD430 (Non Inverting With Enable) Diagram
Vcc
400k
Vcc
IN
1K
OUT
EN
UVCC
GND
GND
Vcc
IN
GND
Vcc
IN
GND
Vcc
IN
EN
1K
Figure 1B - IXDN430 (Non-Inverting) Diagram
1K
UVCC
Figure 1C - IXDI430 (Inverting) Diagram
1K
UVCC
Figure 1D - IXDS430 (Inverting and Non Inverting with Enable) Diagram
400K
Vcc
OUT
GND
Vcc
OUT
GND
Vcc
OUT P
OUT N
400K
INV
UVSEL
GND
UVCC
GND
Notes: 1. Out P and Out N are connected together in the 5 lead TO-220 and TO-263 packages;
2. IXDS430: Undervoltage lock-out is set by UVSEL. UVSEL = Vcc, UVLO = 8.5V, UVSEL = OPEN, UVLO = 11.75V.
2
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IXDT30N120AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA
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