参数资料
型号: IXDS430SI
厂商: IXYS
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC
标准包装: 27
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 41ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 8.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 28-SOIC
包装:
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Fig. 15
400
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 35V
Fig. 16
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 35V
15000 pF
10000 pF
350
300
250
200
150
1 MHz
500 kHz
100
10
5600 pF
1000 pF
100
50
0
100 kHz
50 kHz
10 kHz
1
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Frequency (kHz)
Fig. 17
50
45
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C L = 5600 pF Vin = 15V@1kHz
t ONDLY
Fig. 18
50
45
Propagation Delay vs. Input Voltage
C L = 5600 pF Vcc = 18V
t ONDLY
40
35
30
25
20
15
10
5
0
t OFFDLY
40
35
30
25
20
15
10
5
0
t OFFDLY
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
25
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 19
70
60
Propagation Delay Times vs. Temperature
C L = 5600pF, Vcc = 18V
Fig. 20
0.6
0.5
Quiescent Supply Current vs. Temperature
Vcc = 18V, Vin = 15V@1kHz, C L = 5600pF
50
40
t ONDLY
t OFFDLY
0.4
0.3
30
0.2
20
10
0
0.1
0
-60
-10
40
90
140
190
-60
-10
40
90
140
190
Temperature (C)
8
Temperature (C)
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参数描述
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