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参数资料
| 型号： | IXFA3N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary Data Sheet
IXFA 3N120
IXFP 3N120
V DSS =1200 V
I D25 = 3A
R DS(on) = 4.5 ?
t rr ≤ 300 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXFP)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1200
1200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
DS
D (TAB)
I D25
T C = 25 ° C
3
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12
3
20
A
A
mJ
TO-263 (IXFA)
E AS
700
mJ
G
S
D (TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4.7 ?
T C = 25 ° C
10
200
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 to +150
150
-55 to +150
° C
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
Features
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
Low gate charge and capacitances
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Switching (UIS)
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 1.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
1200
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
5.0
± 100
50
2
V
V
nA
μ A
mA
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
4.5
?
? 2004 IXYS All rights reserved
DS99036B(07/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA3N80 | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| IXFA4N100P | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| IXFA4N100Q-TRL | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA3N80 | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFA4N100Q-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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