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参数资料
| 型号： | IXFA3N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA 3N120
IXFP 3N120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
3
V G S = 10V
7
V G S = 10V
2.5
2
1.5
7V
6V
6
5
4
7V
6V
3
1
5V
2
0.5
0
1
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
3
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
2.8
2.5
V G S = 10V
7V
2.5
V G S = 10V
2
6V
2.2
1.9
1.5
1.6
I D = 3A
1
5V
1.3
I D = 1.5A
1
0.5
0
0.7
0.4
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
3.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V G S = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2004 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
DS99036B(07/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA3N80 | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| IXFA4N100P | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| IXFA4N100Q-TRL | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| IXFA5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA3N80 | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA4N100Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFA4N100Q-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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