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参数资料
| 型号： | IXFB100N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB 100N50P
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
220
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value
v s. Junction Temperature
100
V GS = 10V
3.1
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 100A
I D = 50A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
External Lead Current Limit
2.4
2.2
2
1.8
1.6
60
50
40
30
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
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| IXFB170N30P | MOSFET N-CH TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB100N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB110N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB120N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB132N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB170N30P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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