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参数资料
| 型号： | IXFB120N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB120N50P2
120
100
80
60
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
8V
7V
6V
240
200
160
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
7V
40
80
6V
20
0
5V
40
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
120
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
7V
3.2
2.8
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
80
60
6V
2.0
I D = 120A
I D = 60A
1.6
40
1.2
5V
20
0
4V
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value vs.
Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
120
100
80
1.8
1.6
60
1.4
T J = 25oC
40
1.2
20
1.0
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB170N30P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFB210N20P | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB132N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB170N30P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFB210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB300N10P | 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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