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参数资料
| 型号： | IXFB38N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB38N100Q2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
60
55
50
45
80
70
60
T J = - 40 o C
40
35
30
T J = 125 o C
25 o C
- 40 o C
50
40
125 o C
25 o C
25
20
15
10
5
0
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
10
20
30
40
50
60
70
V GS - Volts
I
D
- Amperes
90
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
50
8
6
V DS = 500V
I D = 19A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
150
200
250
V SD - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
100000
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1.000
0.100
0.010
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
Pulse Width - Seconds
1
10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_38N100Q2(95) 5-27-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB40N110P | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
| IXFB44N100P | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| IXFB44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| IXFB50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
| IXFB52N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFB40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB50N80Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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