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参数资料
| 型号： | IXFB60N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB 60N80P
60
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
60
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
v s. Junction Temperature
55
50
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
45
40
6V
2.4
35
30
25
20
15
2
1.6
1.2
I D = 60A
I D = 30A
10
5
0
5V
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Drain Current
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
2.4
2.2
2
1.8
1.6
50
40
30
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB62N80Q3 | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 |
| IXFB70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 |
| IXFB72N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 |
| IXFB80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 |
| IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB62N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB72N55Q2 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB80N50Q2_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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