参数资料
型号: IXFC110N10P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
标准包装: 50
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫欧 @ 55A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3550pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUS220?
供应商设备封装: ISOPLUS220?
包装: 散装
IXFC 110N10P
110
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
220
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
100
90
80
V GS = 10V
9V
200
180
160
V GS = 10V
9V
70
60
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
5V
140
120
100
80
60
40
20
0
8V
7V
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1 1.2
V D S - V olts
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4 5 6
V D S - V olts
7
8
9
10
110
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 150 o C
2.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 55A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 110A
I D = 55A
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - V olts
3
3.5
4
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to I D = 55A
V alue vs . Drain Curr e nt
60
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
2.8
V GS = 10V
2.6
V GS = 15V
- - - -
50
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
T J = 175 o C
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - A mperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
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IXFC14N60P 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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