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参数资料
| 型号： | IXFC22N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 22N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = I T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
13
20
4000
320
22
20
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R G = 4 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
60
23
58
23
20
ns
ns
nC
nC
nC
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
0.95 ° C/W
R thCS
0.21
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
1.0
12
66
1.5
200
A
A
V
ns
μ C
Ref: IXYS CO 0177 R0
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %;
2. Test current I T = 11A.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFC24N50 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC26N50 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC26N50P | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFC36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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