- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录451 > IXFE39N90 (IXYS)MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFE39N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 19.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 375nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 580W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFE 39N90
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 15 V; I D = I T , Note 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
30
45
13400
1230
320
45
68
125
30
375
75
190
0.07
0.22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
Note 1
39
154
A
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V,
Note 2
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
2
9
1.3
250
V
ns
μ C
A
Please see IXFN39N90 data sheet
for characteristic curves.
Notes: 1. Pulse width limited by T JM.
2. Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2% .
3. I T Test current: I T = 19.5 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE44N50QD3 | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B |
| IXFE44N50Q | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B |
| IXFE44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B |
| IXFE55N50 | MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B |
| IXFE73N30Q | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N50QD2 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N50QD3 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N60 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 600V 0.13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE48N50Q | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。