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参数资料
| 型号： | IXFH102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFA102N15T IXFH102N15T
IXFP102N15T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
110
100
90
V GS = 15V
10V
9V
8V
300
250
V GS = 15V
10V
9V
80
70
60
50
40
7V
200
150
100
8V
7V
30
20
10
0
6V
50
0
6V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 51A Value
vs. Junction Temperature
110
100
90
80
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
3.0
2.6
2.2
V GS = 10V
70
I D = 102A
60
1.8
I D = 51A
50
40
6V
1.4
30
20
10
0
5V
1.0
0.6
0.2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 51A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.5
4.0
3.5
3.0
V GS = 10V
T J = 175oC
70
60
50
40
External Lead Current Limit
2.5
30
2.0
1.5
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH10N100P | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD |
| IXFH10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD |
| IXFH110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 |
| IXFH110N25T | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
| IXFH11N80 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH10N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH10N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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