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参数资料
| 型号： | IXFH102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFA102N15T IXFH102N15T
IXFP102N15T
19
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
18
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
18
17
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 75V
17
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 75V
T J = 125oC
16
16
15
I
D
= 102A
15
14
13
12
I
D
= 51A
14
13
T J = 25oC
11
10
12
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
100
32
30
40
90
80
70
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 75V
I D = 102A
30
28
26
29
28
27
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 75V
38
36
34
60
24
26
32
50
40
22
20
25
24
I D = 51A
30
28
30
20
I D = 51A
18
16
23
22
26
24
10
0
14
12
21
20
I D = 102A
22
20
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
26
42
280
160
25
T J = 125oC
38
240
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
140
200
V DS = 75V
120
24
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
34
160
I D = 102A
100
23
V DS = 75V
30
120
I
D
= 51A
80
22
26
80
60
21
20
T J = 25oC
22
18
40
0
40
20
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH10N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH10N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH10N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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