参数资料
型号: IXFH24N90P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH TO-247
产品目录绘图: TO-247AD 3-Leads
特色产品: 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装: 30
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V
功率 - 最大: 660W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXFH24N90P
IXFT24N90P
24
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
50
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
22
20
V GS = 10V
9V
45
V GS = 10V
9V
40
18
16
35
14
8V
30
12
10
8
25
20
8V
6
7V
15
4
10
7V
2
0
6V
5
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
24
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value
vs. Junction Temperature
22
20
18
V GS = 10V
9V
3.0
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8V
7V
6V
5V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 24A
I D = 12A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value
vs. Drain Current
26
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
24
22
20
18
16
14
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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