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参数资料
| 型号： | IXFH24N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH24N90P
IXFT24N90P
30
25
Fig. 7. Input Admittance
30
25
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
20
T J = 125oC
25oC
20
25oC
- 40oC
15
10
5
0
15
10
5
0
125oC
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
14
12
10
8
6
V DS = 450V
I D = 12A
I G = 10mA
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
100,000
f = 1MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
Ciss
1,000
Coss
0.10
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_24N90P (85)10-23-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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