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参数资料
| 型号： | IXFH32N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4925pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
V DSS I D25 R DS(on)
500 V 32 A 0.16 ?
500 V 32 A 0.16 ?
t rr ≤ 250 ns
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C; pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
32
128
32
45
1500
V
V
A
A
A
mJ
mJ
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
5
416
-55 ... + 150
150
-55 ... + 150
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T L
M d
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
300
1.13/10
° C
Nm/lb.in.
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
Features
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 uA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
500
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.5
± 100
100
1
0.16
V
V
nA
μ A
mA
?
rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98596E(02/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX2209AEBS+T10 | IC RF POWER DETECTOR 4UCSP |
| MAX2203EWT+T10 | IC POWER DETECTOR RMS 6-WLP |
| MPI-650-230 | XFRMR 115V 5.6A 650VA |
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| FI212C245041-T | FILTER BANDPASS 2.4GHZ BLUETOOTH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH340N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH34N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH350 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH35N30 | 功能描述:MOSFET 300V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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