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参数资料
| 型号： | IXFH32N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4925pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
18
28
S
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3950 4925
640
800
210
260
pF
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t d(on)
35
45
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
42
50
ns
t d(off)
t f
R G = 2 ? (External),
75
20
95
25
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.7 5.3
Inches
Min. Max.
.185 .209
Q g(on)
153
190
nC
A 1
A 2
2.2
2.2
2.54
2.6
.087
.059
.102
.098
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
(TO-247)
26
85
0.25
32
105
0.30
nC
nC
K/W
K/W
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
L1
4.50
.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? P
Q
R
S
3.55
5.89
4.32
6.15
3.65
6.40
5.49
BSC
.140
0.232
.170
242
.144
0.252
.216
BSC
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
32
128
1.5
A
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.75
7.5
250
ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX2209AEBS+T10 | IC RF POWER DETECTOR 4UCSP |
| MAX2203EWT+T10 | IC POWER DETECTOR RMS 6-WLP |
| MPI-650-230 | XFRMR 115V 5.6A 650VA |
| FAR-D5NE-740M00-P1C9-Z | DUPLEXER SAW 740MHZ LTE XVII |
| FI212C245041-T | FILTER BANDPASS 2.4GHZ BLUETOOTH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH340N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH34N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH350 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH35N30 | 功能描述:MOSFET 300V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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