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参数资料
| 型号： | IXFH32N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4925pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
14
Figure 7. Gate Charge
10000
Figure 8. Capacitance Curves
12
10
8
6
4
Vds=300V
I D =16A
I G =10mA
1000
Ciss
Coss
Crss
F = 1MHz
2
0
0
50
100
150
200
250
100
0
5
10
15
20
25
100
80
60
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
V GS = 0V
V DS - Volts
40
T J =125 O C
20
T J =25 O C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
0.40
0.20
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
10 -3 10 -2
0.01
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
10 -1
10 0
10 1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX2209AEBS+T10 | IC RF POWER DETECTOR 4UCSP |
| MAX2203EWT+T10 | IC POWER DETECTOR RMS 6-WLP |
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| FI212C245041-T | FILTER BANDPASS 2.4GHZ BLUETOOTH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH340N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH34N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH350 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH35N30 | 功能描述:MOSFET 300V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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