- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFH400N075T2 (IXYS)MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH400N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 420nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH400N075T2
IXFT400N075T2
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
300
250
200
10V
8V
7V
6V
350
300
250
10V
8V
7V
6V
200
150
150
100
50
0
5V
4V
100
50
0
5V
4V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V DS - Volts
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 200A Value
350
300
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 15V
10V
8V
7V
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
vs. Junction Temperature
250
6V
1.8
I
D
= 400A
200
1.6
I
D
= 200A
150
1.4
100
50
0
5V
4V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 200A
vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.2
160
External Lead Current limit
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
15V
T J = 175oC
T J = 25oC
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXFH42N60P3 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
| IXFH44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| IXFH60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
| IXFH66N20Q | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH40N30 | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH40N30Q_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFH40N30S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。